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电子元器件详细资料 » IC[21754] » IPG20N06S2L-35
型号:IPG20N06S2L-35类别:FET - 阵列制造商:Infineon Technologies
封装:8-PowerTDFN描述:MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
系列OptiMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)55V
电流_连续漏极(Id)0a025000C20A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C35 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222V @ 27µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs23nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds790pF @ 25V
功率_最大65W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerTDFN
供应商设备封装PG-TDSON-8-4(5.15x6.15)
包装带卷 (TR)

供应商

瀚佳科技(深圳)有限公司李小姐0755-23915992/23140719
辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳市科恒伟业电子有限公司柯0755-88917652分机801-83200050
深圳市向鸿伟业电子有限公司李先生86-0755-82561519
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IPG20N06S2L-35相关型号

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